SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上 図6:デバイスモデルの種類回路シミュレーションを実行する際には、デバイスモデルが欠かせない。SiCパワーMOSFETでは、経験的数式モデルを採用している。[クリックで拡大] 出所:キーサイト・テクノロジー 記事に戻る 谷川博章/橋本憲良(キーサイト・テクノロジー),EDN Japan