SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上

図4：CggとCiss、Vgs、Vdsの関係CggとCiss、Vgs、Vdsの関係を3次元グラフで表現した。Cggはゲート電圧依存性、Cissはドレイン電圧依存性を持つため、どちらもオン時には容量値が大きく変動する。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー