SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上

図2：従来は測定結果とシミュレーション結果が合わなかった従来のモデリング手法で作成したデバイスモデルを使ってシミュレーションしたSiCパワーMOSFETのスイッチング動作である。Sパラメーターを考慮しても、測定結果とシミュレーション結果の間には比較的大きなズレがあった。［クリックで拡大］ 出所：キーサイト・テクノロジー