SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」 図6:ダブルパルステスターデバイスモデルに不可欠なパラメーターの測定のほか、SiC/GaNパワー・デバイスの評価に使える(図は、キーサイト・テクノロジーが2019年5月に発売したダブルパルステスター) 記事に戻る 武田亮/橋本憲良(キーサイト・テクノロジー),EDN Japan