SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」 図4:正確なデバイス・モデルを作成するには、測定技術が重要にパワーデバイスを広範囲で正確に測定しなければ、高精度なデバイスモデルパラメーターは作抽出できない。パワーデバイスのI-V特性の大電力領域や、オン時のC-V特性などを正確に測定する必要がある。 記事に戻る 武田亮/橋本憲良(キーサイト・テクノロジー),EDN Japan