故障保護機能を搭載したデータ収集システム

図4:出力負荷によって電流が制限される (クリックで拡大)初段のnチャンネルMOSFETは、ドレイン電圧(VD)がゲート電圧(VG)からしきい値電圧を差し引いた値(VG−VTN)を超えると飽和状態に達する。このときのソース電圧(VS)はVG−VTNに等しくなる。この状態では、故障状態で発生する電流(IOUT)の大きさは出力負荷(RL)の値で決まり、VCLAMP/RLになる。

図4:出力負荷によって電流が制限される (クリックで拡大)初段のnチャンネルMOSFETは、ドレイン電圧(VD)がゲート電圧(VG)からしきい値電圧を差し引いた値(VG−VTN)を超えると飽和状態に達する。このときのソース電圧(VS)はVG−VTNに等しくなる。この状態では、故障状態で発生する電流(IOUT)の大きさは出力負荷(RL)の値で決まり、VCLAMP/RLになる。