SiCダイオードを採用した高速スイッチング特性重視型パワー半導体モジュール SiCダイオードを用いたハイブリッドパワー半導体モジュール。左が100A/150A品、中央が200A/300A品、右が400A/600A品の外観 (クリックで拡大) 記事に戻る EDN Japan