1200V耐圧のSiCバイポーラトランジスタ、オン抵抗は17mΩ
左はSiのIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、右はフェアチャイルドのSiC BJTを使った場合の基板構成である。SiC素子はSi素子に比べてスイッチング速度を高められるので、より小型のインダクタを使用できる。出力キャパシタもIGBTでは3個必要だが、SiC BJTでは1個だけで済む。その結果、SiC BJTを使うと、SiのIGBTを使う場合に比べて基板面積を約2/3に抑えることが可能だ。 出典：フェアチャイルドセミコンダクタージャパン
