SiC/GaNデバイスは離陸間近 図2 「eGaN」の効率を高める「LM5113」の特性 LM5113を用いて動作させたeGaN(GaN-FET)の効率は、一般的なSi-MOSFETの効率よりも高い。 記事に戻る Margery Conner,EDN