市場が広がるSDI（2）　規格内容と対応チップの詳細に迫る

図9　SiGeバイポーラCMOS製造技術米ナショナル セミコンダクター社の最新SiGeバイポーラCMOS製造技術である。微細加工ルールは0.13μm。消費電力は競合他社の1/4と低い。さらに入力等価雑音が小さいため、ケーブル・イコライザの利得（ブースト量）を33dB以上高めることが可能になった。しかも、トータル・ジッタは競合他社品の1/2と小さい。