SiC/GaNデバイスの量産採用に向けた取り組みが加速――「TECHNO-FRONTIER 2011」から 図2 サンケン電気のスイッチング動作のデモ 耐圧300V/電流容量50AのGaN-FETとSiC-SBDを用いている。 記事に戻る 朴尚洙,EDN