LVDSを基礎から理解する、高速、長距離、低EMIの理由(後編)

図2 高速伝送が可能な理由LVDSの信号振幅が350mVと低いことが、高速伝送が可能な理由である。信号振幅が低ければ低いほど、信号の遷移に費やす時間が短くなるからだ。3VデバイスのTTL/CMOS信号の振幅である2.5〜3Vと比べると、信号振幅は1/7程度。従って、約7倍の伝送速度を実現できる。

図2 高速伝送が可能な理由LVDSの信号振幅が350mVと低いことが、高速伝送が可能な理由である。信号振幅が低ければ低いほど、信号の遷移に費やす時間が短くなるからだ。3VデバイスのTTL/CMOS信号の振幅である2.5〜3Vと比べると、信号振幅は1/7程度。従って、約7倍の伝送速度を実現できる。