SoC vs.マルチチップ

写真1　マイクロ波シンセサイザモジュールの外観　このモジュールは、SiGe、GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor：仮像高電子移動度トランジスタ）、InGaP（Indium Gallium Phos-phide：リン化インジウムガリウム）-HBT（Heterojunction Bipolar Transistor：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）の各プロセス技術で製造した複数のチップを収容している（提供：Hittite Microwave社）。