SoC vs.マルチチップ

図1 シリコンとGaAsのバンドギャップの違い シリコン半導体は、光子(フォトン)と電子正孔対の変換に、音子(フォノン)、つまり格子振動を必要とする(a)。GaAsなどのIII-V族半導体は、直接バンドギャップ材料であるため、高い変換効率を得ることができる(b)。

図1 シリコンとGaAsのバンドギャップの違い シリコン半導体は、光子(フォトン)と電子正孔対の変換に、音子(フォノン)、つまり格子振動を必要とする(a)。GaAsなどのIII-V族半導体は、直接バンドギャップ材料であるため、高い変換効率を得ることができる(b)。