次世代パワーデバイスの電動自動車応用の可能性

図1　次世代パワーデバイスの耐圧領域による使い分け　SiCやGaNは、絶縁破壊電界強度がSiの10倍程度と高いため、Siでは10分の1の耐圧で使われている素子構造が適用可能である。モータードライブ用の耐圧1200V系では、Si-IGBTやSiPiNダイオードの代わりに、より高速スイッチングが可能なSiC-MOSFETやSiC-SBDが使用できる。