アナログスイッチ再入門

図3 ラッチアップの発生メカニズム CMOS構造はpチャンネルMOSFETとnチャンネルMOSFETを組み合わせたものである(a)。入力信号が電源レールを超えると、寄生サイリスタ(pnpnスイッチ)がターンオンし、ラッチアップが発生する(b)。

図3 ラッチアップの発生メカニズム CMOS構造はpチャンネルMOSFETとnチャンネルMOSFETを組み合わせたものである(a)。入力信号が電源レールを超えると、寄生サイリスタ(pnpnスイッチ)がターンオンし、ラッチアップが発生する(b)。