アナログスイッチ再入門

図2　誘電体素子分離によるCMOSスイッチ（断面構造）　誘電体素子分離では、トレンチ酸化膜でIC内の各トランジスタを電気的に分離する。浮遊容量が削減されるとともに、ラッチアップを防止できる（提供：Analog Devices社）。