第316回 AI相場の崩壊前夜か？　中国半導体メーカー「CXMT」が引き起こすDRAM市場の大改編

6F2と4F2 DRAMの比較CXMTが2023年のIEDMで公開した論文「High-Performance Gate-all-around Junctionless Vertical-Channel Transistors with the Ultra-low Sub-threshold Swing for Next-generation 4F2 DRAM［PDF］」で、6F2の横型（Recess access transistor）と4F2の縦型（Vertical access transistor）の比較。