第19回 Intelが示したテラ・ヘルツへの夢、そして現実

TeraHertzトランジスタの構造「New Transistors for 2005 and Beyond［PDF］」と題したTeraHertzトランジスタに関するプレゼンテーションより。左側が既存のMOSトランジスタの構造、右側がTeraHertzトランジスタの構造。ゲート絶縁膜のHigh-k採用や、完全空乏型のチャネル構造、さらにソースとドレインの幅を厚くすることで抵抗値を下げるといった工夫を行っている。今回開発したTeraHertzトランジスタには、絶縁体としてZrO2（二酸化ジルコニウム）を採用しているという。