大解説！ “Broadwell-Y”な「Core M」はここがすごい（前編）

ゲート電極に金属を使ったメタルゲートとフィンの絶縁膜には、従来通りにHi-K素材を採用し、リーク電流を最小限に抑える（写真＝左）。22ナノメートルプロセスルールトライゲートプロセスと14ナノメートルプロセスルール第2世代トライゲートのトランジスタを電子顕微鏡で比較する（写真＝右）