SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

SiCデバイスの特徴。左の図は、SiとSiCの物性を比較したもの。右の図では、SiC-MOSFETが、SiベースのMOSFETよりも損失を大幅に低減できることを示している。（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン