高密度化と大容量化の限界はまだ見えない

3D NANDフラッシュメモリの断面構造。左上はシリコンダイ写真。右下は、ワード線デコード回路とメモリセルアレイの境界付近を切り出した断面の構造図。構造図の左端は周辺回路。中央は制御ゲート（ワード線）の引き出し（ステアケース）。右端はメモリセルアレイ。出典：Applied Materials（クリックで拡大）