高アスペクト比の細長い孔をハードマスクによって形成（続き）

3D NANDフラッシュメモリの立体構造（左）と、製造における重要技術（キープロセス）（右）。左の立体構造図で、緑色の細長い円柱が高アスペクト比パターン形成技術を必要とする。マルチペア薄膜を貫通するスルーホールと、ステアケースと上部を接続するコンタクトである。このほか、ステアケース中央にある細長い溝（スリット）も、高アスペクト比のパターン形成技術が必要となる。出典：Applied Materials（クリックで拡大）