化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み（前編）

直線状の溝の列を平行に形成して結晶欠陥の成長を止める「アスペクト比トラッピング（Aspect Ratio Trapping）」技術。左上は本技術の概念構造図。下は、実際にシリコン（Si）基板上にガリウム・ヒ素（GaAs）を成長させ、貫通転位の成長を止めた薄膜の断面を電子顕微鏡で観察した画像（GaAsとSiの界面でGaAs側に見える黒い影が貫通転位、溝の幅は40nm）。右上はシリコンと主な化合物半導体の格子定数（横軸）とエネルギーバンドギャップ（縦軸）の関係。出典：imec（クリックで拡大）