2D NANDフラッシュと3D NANDフラッシュのセルアレイ構造 2D NANDフラッシュのメモリセルアレイ構造。略語はWLがワード線、BLがビット線、SGDがセレクタゲートドレイン、SGSがセレクタゲートソース。出典:Applied Materials 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan