2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM（後編）

温度条件を変化させたときの書き換えサイクル特性（スタックA）。左は書き換えサイクル試験を完了した後に、読み出し動作におけるMTJの抵抗値のばらつきを異なる温度条件で調べた結果。中央は書き換えサイクル数と読み出しマージンの関係。書き換えサイクル数が増加しても、読み出しマージンは初期値とほとんど変わっておらず、100万回の書き換えサイクルを経ても劣化はみられない。出典：GLOBALFOUNDRIES