光変調器の試作例（電界吸収（EA）変調器）とまとめ（前編）

電界吸収変調器（EA変調器）の構造と特性。左上はEA変調器の断面構造図。Si光導波路薄膜の上に、GeSi薄膜のpin接合ダイオード兼光導波路を形成して光吸収層とする。右上はEA変調器の平面図。変調器の長さは約50μm。左下はGeSiダイオードの光吸収係数（縦軸）と光波長（横軸）の関係。バイアス電圧（逆バイアスなので符号はマイナス）を強く加えると、光の吸収が大きくなる。出典：imec（クリックで拡大）