磁気トンネル接合（MTJ）におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い

スタックAとスタックBにおける書き換え電圧の違いと、書き換え電圧パルスの長短による書き換え電圧の変化。右上のグラフは、1MビットのスタックAとスタックBにおける不良セルの数（縦軸）と書き換え電圧（横軸）の関係。左下のグラフは、1MビットのスタックAにおける書き換え電圧パルス幅（横軸）と書き換え強さ（任意単位）の関係。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）