磁気トンネル接合（MTJ）におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い

磁気トンネル接合（MTJ）スタックの異方性磁界（Hk）の大きさ。SRAM代替用MRAMのスタックAではHkがやや低く、フラッシュメモリ代替用MRAMのスタックBではHkが高い。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）