埋め込みMRAMの磁気トンネル接合（MTJ）に要求される条件

金属配線のビア（コンタクト）と磁気トンネル接合（MTJ）の位置関係。左はビアとMTJを異なる位置にレイアウトする場合（オフアクシス）。右はビアの真上にMTJをレイアウトする場合（オンアクシス）。両者では、下部電極（BE：base electrode）の製造プロセスに違いが出る。オンアクシスの場合は単純に製造するとビア部分のBE膜がへこんでしまう。BE膜の表面を平らにするようなプロセスが必要となる。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）