シリコン中のキャリア密度の増減によって光の位相を変調する

シリコンpn接合の光導波路でキャリア密度を制御し、屈折率を増減して導波路中の光ビームに位相差を与える仕組み。左は光導波路の模式図。リブ型の光導波路の長さ方向に沿ってpn接合を形成してある。右は等価回路図。pn接合に逆バイアスを与えて空乏層を作り、キャリア密度をゼロに減らすことで、屈折率を増加させる。出典:imec(クリックで拡大)

シリコンpn接合の光導波路でキャリア密度を制御し、屈折率を増減して導波路中の光ビームに位相差を与える仕組み。左は光導波路の模式図。リブ型の光導波路の長さ方向に沿ってpn接合を形成してある。右は等価回路図。pn接合に逆バイアスを与えて空乏層を作り、キャリア密度をゼロに減らすことで、屈折率を増加させる。出典:imec(クリックで拡大)