埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス

埋め込みMRAMのメモリセル構造。1個のセル選択トランジスタ（パスゲート）と1個の記憶素子（磁気トンネル接合（MTJ））でメモリセルを構成する。この図では分かりにくいが、埋め込みMRAMでは多層配線工程（BEOL: Back End Of Line）の途中で磁気トンネル接合（MTJ）を形成する。このため、MTJを形成するプロセスの温度が400℃以下という制限が加わる。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）