MRAMのメモリセルと読み書きの原理

磁気トンネル接合（MTJ）の磁化方向と電気抵抗の関係。固定層の磁化方向と自由層の磁化方向が同じ方向（平行）だと電気抵抗は低くなり、逆の方向（反平行）だと電気抵抗が高くなる