多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編) 多層配線工程の中に記憶素子を作り込む埋め込み不揮発性メモリ技術(Embedded Emerging Memory)の利点(続き)。出典:STMicroelectronics(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan