多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術（前編）

ルネサス エレクトロニクスがFinFET構造を取り込んで開発したSG-MONOS型埋め込みフラッシュメモリセル技術。左はSG-MONOS技術とFinFETを組み合わせたセルトランジスタの構造。右はロジック用FinFETの構造 （クリックで拡大） 出典：STMicroelectronics