多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編) CMOSロジック用トランジスタの微細化と埋め込みフラッシュメモリの課題 (クリックで拡大) 出典:STMicroelectronics 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan