埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術

SST（Silicon Storage Technology, Inc.）が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術「SuperFlash」の世代とセルトランジスタ断面構造。ESF（Embedded SuperFlash）1からESF3までの3世代が存在する。なお略語の意味は、SG（選択ゲート）、FG（浮遊ゲート）、EG（消去ゲート）、CG（結合ゲート） 出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）