STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編) 180nmのCMOSロジック製造プロセス(左)と、埋め込みフラッシュメモリの追加プロセス(右)。埋め込みフラッシュの工程をモジュール化することで、生産工程の複雑化を抑えている (クリックで拡大) 出典:STMicroelectronics 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan