量子トンネルFETを酸化物半導体とSi系材料で実現

TCADシミュレーションでトンネルFET特性予測。左は、ドレイン電流とゲート電圧の関係。非常に小さなゲート電圧の変化に対し、十分大きなドレイン電流の変化が達成できていることが分かる。右は、ドレイン電流とドレイン電圧の関係。0.3Vでの動作において約50μA/μmの大きなドレイン電流が見込まれ、実用化水準に達する値だとする （クリックで拡大） 出典：東京大学／科学技術振興機構