「不揮発性DRAM」へのアプローチ（前編）

「二酸化ジルコニウム（ZrO2）」のキャパシターをベースとする不揮発性DRAMセルの考え方。左はDRAMメモリセル「1T1Cセル」の回路図。右はDRAMセルキャパシターの断面構造。電極は窒化チタン（TiN）、絶縁膜はZAZ（ZrO2/Al2O3/ZrO2）。ZrO2の結晶構造は正方晶なので、「反強誘電体」になっていると期待できる。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）