反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法（続き）

反強誘電体薄膜の内部に電界バイアスを与えたことによる変化（赤い曲線）。左のグラフでは、自由エネルギーの局所的な最小点（安定点）が、2箇所に増えている。マイナスの分極電荷量が一定のところが「0（ゼロ）」、分極電荷量がほぼない状態のところが「1」に対応する。右のグラフでは、外部電界がゼロのところに分極電荷量の違う2つの状態が出現している。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）