反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法

外部電界がゼロの位置（緑色の垂直な線）を左にシフトさせた状態で、外部電界を適切に制御する（前述のグラフの左半分の範囲だけを電界が変化するように制御する）。すると、外部電界がゼロのときに、残留分極がほぼゼロの状態（青線と緑線が交差する上の点）と、ある程度の大きさの残留分極が生じている状態（青線と緑線が交差する下の点）の2つの状態を作り出せる。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）