反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法

反強誘電体薄膜の内部に電界バイアスを与えることで、外部電界がゼロの位置（緑色の垂直な線）を左にシフトさせる。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）