従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発（後編）

産総研と東京大学が共同開発した64kビットの強誘電体不揮発性メモリ。NAND構造の強誘電体トランジスタ（FeFET）をメモリセルに採用した。出典：産業技術総合研究所（参考リリース） （クリックで拡大）