究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ

1個のトランジスタがセル選択素子と記憶素子を兼ねるメモリセルとその動作。左半分は、電荷捕獲（チャージトラップ）方式フラッシュメモリのトランジスタと電流電圧特性。ゲート絶縁膜の捕獲準位が電子を蓄積することで、トランジスタのしきい電圧（VTH）がシフトする。右半分は、強誘電体をゲート絶縁膜に採用したトランジスタ（強誘電体トランジスタ（FeFET））と電流電圧特性。強誘電体ゲート絶縁膜の分極の方向が変化することで、トランジスタのしきい電圧（VTH）がシフトする。いずれのトランジスタも、電源を切ってもしきい電圧の位置は動かない。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）