近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を

従来の製造方法による積層メモリと、「TCI」と「HDSV」を用いた積層メモリの性能比較。大幅に薄型化できるだけでなく、NAND型フラッシュメモリの場合は1ビット当たりのI／Oエネルギーは400分の1以下、DRAMの場合は10分の1以下と大幅な電力削減が期待できるという （クリックで拡大） 提供：黒田忠広氏