SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化

抵抗変化メモリ（ReRAM）の抵抗値変化。左はISPP（Incremental Step Pulse Programming）技術によって書き込んだ抵抗値の変化。縦軸は累積分布関数（CDF：Cumulative Distribution Function）。右は書き込み電流の違いによる抵抗値変化の違い。下段は書き込み電流が最も低く、抵抗値の変化が大きい。上段は書き込み電流が最も高く、抵抗値の変化が小さい。出典：SanDisk（クリックで拡大）