ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発 フィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリセル。画像右の「断面像」は、「鳥瞰像」のX/X'で切断した時の断面図となる。フィンの上にトラップ膜が形成されているのがよく分かる(クリックで拡大) 出典:ルネサス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan