通常のシリコンで高性能「量子ビット」を実装

図2:ラビ振動測定方法の模式図と測定結果 (クリックで拡大) 出典:理研A:最初に、スピンを下向きスピン(量子ビットの0状態)に初期化する。次に、スピン操作のためのマイクロ波電圧をかけてマイクロ波を照射し、スピン状態の単発読み出しを行う。単発読み出しを1000回繰り返すことで、上向きのスピンを測定した確率を計算。最後に、量子ドット内の電子を1個から0個にする(空乏化)。B:スピン状態の時間発展の測定結果。横軸はマイクロ波の照射時間で、縦軸は上向きスピンの観測確率を示す。理想的な量子ビットの振る舞いに近い、正弦波状の振動パターン(ラビ振動)が観測されている。

図2:ラビ振動測定方法の模式図と測定結果 (クリックで拡大) 出典:理研A:最初に、スピンを下向きスピン(量子ビットの0状態)に初期化する。次に、スピン操作のためのマイクロ波電圧をかけてマイクロ波を照射し、スピン状態の単発読み出しを行う。単発読み出しを1000回繰り返すことで、上向きのスピンを測定した確率を計算。最後に、量子ドット内の電子を1個から0個にする(空乏化)。B:スピン状態の時間発展の測定結果。横軸はマイクロ波の照射時間で、縦軸は上向きスピンの観測確率を示す。理想的な量子ビットの振る舞いに近い、正弦波状の振動パターン(ラビ振動)が観測されている。