0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証 開発した3端子スピン軌道トルク磁化反転素子のセル回路(a)と素子構成(b) (クリックで拡大) 出典:東北大学 記事に戻る 庄司智昭,EE Times Japan